LED外延结构及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，其中所述LED外延结构从下至上依次包括：位于衬底上的缓冲层、n型DBR层、隧穿层、p型半导体层、有源层以及n型半导体层，其中，所述p型半导体层包括依次层叠的p型限制层和p型波导层，所述隧穿层包括依次层叠的掺杂n型层和掺杂p型层。本发明通过在n型DBR层与p型限制层之间引入一个隧穿层，可以减小n型DBR层和p型限制层之间的晶格失配产生的应力，进而可以减少外延结构的生长翘曲；而且所述隧穿层还可以提供隧穿电流，使得n型DBR层和p型限制层形成的反向PN结导通。除此之外，所述LED外延结构的制备方法简单。
基本信息
专利标题 ：
LED外延结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551671A
申请号 ：
CN202210158413.7
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王亚宏李森林杨美佳毕京锋
申请人 ：
厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市海沧区兰英路99号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
郑玮
优先权 ：
CN202210158413.7
主分类号 ：
H01L33/12
IPC分类号 ：
H01L33/12 H01L33/10 H01L33/14 H01L33/00
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/12
申请日 : 20220221
申请日 : 20220221
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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