LED外延结构及其制备方法和LED器件
公开
摘要
本发明提供一种LED外延结构及其制备方法和LED器件，LED外延结构，其从下向上依次包括衬底、非掺杂半导体层、N型半导体层、多量子阱区、和P型半导体层，LED外延结构还包括设于多量子阱区下方的至少一组电子富集层组，于每组电子富集层组内，堆叠设有In掺杂浓度从下至上依次递增的多层掺In电子富集层；多量子阱区内包括多个交替堆叠设置的势阱层组和势垒层，于每组势阱层组内，堆叠设有In掺杂浓度从下至上依次递减的多层掺In势阱层。减小了因In偏析导致外延层中应力失配而引入位错、层错、V型缺陷和孔隙等结构缺陷的可能，从而增强晶格质量；并且，增加了量子阱两端的势能差，增加电子与空穴的复合效率，进一步提高了发光效率。
基本信息
专利标题 ：
LED外延结构及其制备方法和LED器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628557A
申请号 ：
CN202011454243.4
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请人地址 ：
江苏省宿迁市经济技术开发区东吴路南侧
代理机构 ：
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
沈晓敏
优先权 ：
CN202011454243.4
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14 H01L33/06 H01L33/32 H01L33/00
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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