本发明涉及半导体器件制备技术领域，特别涉及一种外延结构的制备方法、外延结构、器件及设备。该制备方法包括：获取支撑衬底；在所述支撑衬底上制备基础层；在所述基础层上制备碳掺杂的氮化镓缓冲层；其中，在制备所述氮化镓缓冲层时引入碳源对所述氮化镓缓冲层进行碳掺杂；所述碳源包括第一碳源，所述第一碳源为三甲基铝。该制备方法提供了一种工艺掺杂方案，能够进一步提高氮化镓缓冲层的电阻率。在氮化镓缓冲层生长过程中通入三甲基铝作为碳源，能够显著提高氮化镓缓冲层的碳掺杂能力，进而显著提高氮化镓缓冲层的电阻率，从而显著提高硅基氮化镓缓冲层的击穿电压。