AlGaN基紫外LED外延结构及其制备方法
公开
摘要
本申请公开了一种AlGaN基紫外LED外延结构及其制备方法。所述AlGaN基紫外LED外延结构包括沿一指定方向依次设置的N型AlbGa1‑bN层、多量子阱有源区、P型AlcGa1‑cN电子阻挡层和P型GaN接触层；所述多量子阱有源区包括交替生长的多个AlxGa1‑xN量子阱层和多个AlyGa1‑yN量子垒层，其中在所述指定方向上的最后一个AlxGa1‑xN量子阱层掺杂有Si，其中0＜(x、y)≤1。较之现有技术，本申请AlGaN基紫外LED外延结构的光输出功率有显著提升。
基本信息
专利标题 ：
AlGaN基紫外LED外延结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566574A
申请号 ：
CN202210184601.7
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-02-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘锐森孙钱黄应南杨勇
申请人 ：
广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区狮山镇科教路1号
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王锋
优先权 ：
CN202210184601.7
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/32 H01L33/14 H01L33/00
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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