一种LED外延结构、LED芯片及LED外延结构制备方法

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摘要

本发明揭示了一种LED外延结构、LED芯片及LED外延结构制备方法。所述LED外延结构从下向上依次包括衬底、第一缓冲层、第一UGaN层、剥离保护层、第二缓冲层、第二UGaN层、N型GaN层、多量子阱发光层、P型GaN层。本发明增加剥离保护层的设计，现有的剥离技术不会对上层外延结构造成破坏，可改善因剥离技术不成熟导致上层外延结构损伤导致漏电率增加，不会影响垂直芯片的电性能，从而增强垂直结构激光剥离成功率和良率。

基本信息

专利标题：

一种LED外延结构、LED芯片及LED外延结构制备方法

专利标题（英）：

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公开（公告）号：

CN113314647A

申请号：

CN202110585972.1

公开（公告）日：

2021-08-27

申请日：

2021-05-27

授权号：

CN113314647B

授权日：

2022-05-31

发明人：

徐洋洋江汉徐志军黎国昌程虎王文君苑树伟

申请人：

聚灿光电科技（宿迁）有限公司

申请人地址：

江苏省宿迁市经济技术开发区东吴路南侧

代理机构：

苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

沈晓敏

优先权：

CN202110585972.1

主分类号：

H01L33/06

IPC分类号：

H01L33/06 H01L33/12 H01L33/00