一种LED外延片及其制备方法、LED芯片
实质审查的生效
摘要
本发明涉及发光二极管外延片技术领域，具体而言，涉及一种LED外延片及其制备方法、LED芯片。所述的LED外延片包括在衬底表面依次层叠设置的N型半导体层、有源层、耗尽区层和P型半导体层；所述耗尽区层包括依次层叠设置的第一超晶格层和第二超晶格层；所述第一超晶格层包括周期性交替生长的AlN层和P型AlGaN层；所述第二超晶格层包括周期性交替生长的P型GaN层和P型InN层。所述第一超晶格层的势能高，可以阻挡电子，减少电子溢流；所述第二超晶格层提供空穴，以减少P型半导体层提供的空穴在耗尽区的能量损失，从而提高有源层中空穴的数量，进而提高电子和空穴的辐射复合效率。
基本信息
专利标题 ：
一种LED外延片及其制备方法、LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335273A
申请号 ：
CN202111655190.7
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吕腾飞展望芦玲
申请人 ：
淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省淮安市清河新区景秀路6号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
彭星
优先权 ：
CN202111655190.7
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/04 H01L33/32 H01L33/00
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/06
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
