一种外延隔离LED芯片及其制备方法
公开
摘要
本发明提供一种外延隔离LED芯片及其制备方法，包括：提供衬底，在衬底上刻蚀形成凹槽；分别在凹槽的底部、侧壁及顶部沉积抑制外延层生长的化合物；通过刻蚀分别去除在凹槽的顶部和底部沉积的化合物；并依次在凹槽的底部生长N型半导体层、发光层和P型半导体层。本发明中的外延隔离LED芯片及其制备方法，通过首先在衬底上刻蚀出凹槽，形成自隔离的结构，并在凹槽侧壁沉积抑制外延层生长的化合物，在自隔离的结构上生长外延层，提前将芯片进行隔离再生长外延层能够避免刻蚀对外延层的污染，提高了芯片的发光效率。
基本信息
专利标题 ：
一种外延隔离LED芯片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628551A
申请号 ：
CN202210169458.4
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-02-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
田杰简弘安张星星胡加辉金从龙
申请人 ：
江西兆驰半导体有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
代理机构 ：
南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
彭琰
优先权 ：
CN202210169458.4
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/10
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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