芯片及其制备方法
公开
摘要
本发明提供一种芯片及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：S1、将碳化硅棒切割为多个碳化硅衬底片，每个所述碳化硅衬底片的厚度小于第一设定值；S2、在所述碳化硅衬底片的至少一侧设置辅助层，得到复合片，所述复合片的总厚度大于第二设定值，所述第二设定值大于所述第一设定值；S3、对所述复合片进行加工，得到芯片；S4、去除所述芯片上的所述辅助层。本发明实施例的芯片的制备方法，通过将碳化硅晶锭切割成多个薄衬底片，并在每个薄衬底片上设置辅助层，得到复合片，防止薄衬底片在加工过程破碎，最后再将复合片加工得到碳化硅芯片后，去除辅助层，得到厚度较薄的碳化硅芯片，有效降低芯片制造的成本。
基本信息
专利标题 ：
芯片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613663A
申请号 ：
CN202011450019.8
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李凯袁述
申请人 ：
江苏中科汉韵半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市经济技术开发区创业路26号A-2厂房1F-2F
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
胡影
优先权 ：
CN202011450019.8
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/304 H01L21/67 H01L29/06 H01L29/16
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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