VCSEL芯片的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种VCSEL芯片的制备方法。VCSEL芯片的制备方法包括：步骤S10：获取VCSEL芯片的预设氧化图形；步骤S20：获取VCSEL芯片的限制层的氧化速率；步骤S30：根据预设氧化图形和氧化速率确定氧化沟渠的各个位置的宽度或深度；步骤S40：在预设时间内，在限制层上氧化出氧化图形。本发明解决了现有技术中的VCSEL芯片的偏振设计成本较高的问题。
基本信息
专利标题 ：
VCSEL芯片的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114465091A
申请号 ：
CN202210096687.8
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭铭浩周圣凯赖威庭王立李念宜
申请人 ：
浙江睿熙科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市良渚街道通运街358号2幢101室
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
刘娜
优先权 ：
CN202210096687.8
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183 H01S5/10
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/183
申请日 : 20220126
申请日 : 20220126
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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