VCSEL芯片的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种VCSEL芯片的制备方法。VCSEL芯片的制备方法包括：步骤S10：获取VCSEL芯片的预设氧化图形；步骤S20：获取VCSEL芯片的限制层的不同方向的氧化速率；步骤S30：根据预设氧化图形和VCSEL芯片的不同方向的氧化速率确定各个氧化开孔的大小和位置；步骤S40：在预设时间内，在限制层上氧化出氧化图形。本发明解决了现有VCSEL技术中形成偏振的设计较难的问题。
基本信息
专利标题 ：
VCSEL芯片的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361943A
申请号 ：
CN202111677638.5
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭铭浩周圣凯赖威庭王立李念宜
申请人 ：
浙江睿熙科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市良渚街道通运街358号2幢101室
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
刘娜
优先权 ：
CN202111677638.5
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183 C30B33/00
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/183
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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