LED芯片及其制备方法
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摘要
本发明涉及一种LED芯片及其制备方法。LED芯片设置有将芯片主体至少部分包覆的阻挡层，以及将阻挡层包覆的第一钝化层，阻挡层可阻挡第一钝化层中氯离子进入芯片主体，且保留在第一钝化层中的氯离子可与外部进入的金属离子结合，避免金属离子从LED芯片外界透过钝化层到达芯片主体，从而对芯片主体进行有效的保护。因此上述LED芯片的第一钝化层抗金属离子污染的能力得到明显提升，同时LED芯片的可靠性、质量以及良品率也都能得到明显的提升。
基本信息
专利标题 ：
LED芯片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113451474A
申请号 ：
CN202010800442.X
公开（公告）日 ：
2021-09-28
申请日 ：
2020-08-11
授权号 ：
CN113451474B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
苟先华张涛张彬彬林帅苏财钰
申请人 ：
重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请人地址 ：
重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号（1号厂房）
代理机构 ：
深圳鼎合诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
李发兵
优先权 ：
CN202010800442.X
主分类号 ：
H01L33/44
IPC分类号 ：
H01L33/44 H01L33/46
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法律状态
2022-04-19 ：
授权
2021-10-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/44
申请日 : 20200811
申请日 : 20200811
2021-09-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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