一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片
公开
摘要
本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片，在MQW层和P型半导体层之间依次设有最后一个量子垒层、P型复合层；其中，最后一个量子垒层包括GaN‑AlGaN‑AlN复合层状结构；所述P型复合层包括P型掺杂且Al组分逐渐减少的若干个AlGaN层。通过GaN‑AlGaN‑AlN复合结构的整体设计，再配合P型复合层包括P型掺杂且Al组分逐渐减少的若干个AlGaN层的设置，可实现势垒层到P型半导体层的平滑过渡，无突变的势垒高度，有利于提升晶体质量，削弱强极化电场带来的能带弯曲，从而达到提亮发光功率的目的。
基本信息
专利标题 ：
一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566577A
申请号 ：
CN202210269980.X
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-03-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
万志王莎莎尧刚卓祥景程伟
申请人 ：
厦门乾照光电股份有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市厦门火炬高新区（翔安）产业区翔天路259-269号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210269980.X
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/32 H01L33/12 H01L33/00
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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