一种紫外LED垂直芯片外延结构及其制备方法
授权
摘要
本申请涉及半导体器件领域，公开了一种紫外LED垂直芯片外延结构及其制备方法，紫外LED垂直芯片外延结构，包括硅衬底以及由下至上依次设置在硅衬底上的预铺Al层、AlN缓冲层、AlyGa1‑yN缓冲层、掺杂Si的N型AlyGa1‑yN电流扩展层、AlyGa1‑yN spacer层、第一掺杂Si的GaN层、应力释放层、第二掺杂Si的GaN层、多量子阱发光层、电子阻挡层、掺杂Mg的P型AlyGa1‑yN电流扩展层、掺杂Mg的P型GaN欧姆接触层；应力释放层和多量子阱发光层均中不掺杂硅。本申请提供的紫外LED垂直芯片外延结构，能够避免因应力释放层和发光层掺Si导致的位错密度增加。
基本信息
专利标题 ：
一种紫外LED垂直芯片外延结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114093990A
申请号 ：
CN202210055643.0
公开（公告）日 ：
2022-02-25
申请日 ：
2022-01-18
授权号 ：
CN114093990B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
郭嘉杰吴帆王慧勇张南刘自然孔倩茵
申请人 ：
季华实验室
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区桂城街道环岛南路28号
代理机构 ：
佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈志超
优先权 ：
CN202210055643.0
主分类号 ：
H01L33/12
IPC分类号 ：
H01L33/12 H01L33/06 H01L33/32 H01L33/00
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2022-03-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/12
申请日 : 20220118
申请日 : 20220118
2022-02-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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