多波长LED外延结构、芯片
授权
摘要
本实用新型提供一种多波长LED外延结构、芯片，其中多波长LED外延结构包括：依次层叠的衬底、缓冲层和堆叠结构；所述堆叠结构包括：多个发光结构、非掺杂覆盖层和绝缘层，所述发光结构包括依次层叠的N型导电层、有源层和P型导电层，多个发光结构依次层叠于所述缓冲层远离衬底的一侧且N型导电层靠近所述缓冲层设置；所述非掺杂覆盖层和绝缘层层叠且设于相邻两个发光结构之间，所述非掺杂覆盖层靠近所述缓冲层设置，所述绝缘层远离所述缓冲层设置。具有晶体质量好的优点，实现高效多波长发光。
基本信息
专利标题 ：
多波长LED外延结构、芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020276602.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-09
授权号 ：
CN211455713U
授权日 ：
2020-09-08
发明人 ：
林志伟陈凯轩卓祥景蔡建九尧刚
申请人 ：
厦门乾照半导体科技有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区翔天路267号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020276602.0
主分类号 ：
H01L33/08
IPC分类号 ：
H01L33/08 H01L33/10 H01L33/00
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法律状态
2020-09-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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