抗水解的GaN外延结构和芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种抗水解的GaN外延结构和芯片，其中，所述外延结构包括衬底、设置在衬底上的缓冲层、设置在缓冲层上的3D‑Gr层、设置在3D‑Gr层上的缺陷阻挡层、设置在缺陷阻挡层上的第一半导体层、设置在第一半导体层上的有源层、以及设置在有源层上的第二半导体层。本实用新型通过缓冲层、3D‑Gr层和缺陷阻挡层的相互作用，有效减少外延结构的晶格缺陷，提高外延结构的晶体质量，同时提高缓冲层、3D‑Gr层和缺陷阻挡层的密度，减缓缓冲层、3D‑Gr层和缺陷阻挡层的水解腐蚀速率，从而提高外延结构的抗水解能力。
基本信息
专利标题 ：
抗水解的GaN外延结构和芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021395176.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-15
授权号 ：
CN212725350U
授权日 ：
2021-03-16
发明人 ：
仇美懿庄家铭
申请人 ：
佛山市国星半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
胡枫
优先权 ：
CN202021395176.9
主分类号 ：
H01L33/44
IPC分类号 ：
H01L33/44 H01L33/02 H01L33/00
法律状态
2021-03-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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