高抗水解性能蓝绿光LED外延片结构及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种高抗水解性能蓝绿光LED外延片结构及其制备方法，涉及半导体光电器件以及半导体照明制造领域。其中，外延结构的制备方法包括：提供衬底，分别生长缓冲层、u‑GaN层、第一n‑GaN层、n‑AlGaN层、第二n‑GaN层、InGaN/GaN层、量子阱层、第一p‑GaN层、p‑AlGaN层、第二p‑GaN层，即得到高抗水解性能蓝绿光LED外延片。实施本发明，可提升外延晶体质量及外延层致密性，提升抗水解性能。
基本信息
专利标题 ：
高抗水解性能蓝绿光LED外延片结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551659A
申请号 ：
CN202210137823.3
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张文燕李刚潘树林武杰胡清富
申请人 ：
佛山市国星半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
王建宇
优先权 ：
CN202210137823.3
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/12 H01L33/14
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20220215
申请日 : 20220215
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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