一种高性能DFB激光器外延结构
著录事项变更
摘要
本实用新型提供一种高性能DFB激光器外延结构，InP衬底上从下至上依次沉积有N‑InP缓冲层，N‑AlInAs限制层、非掺杂AlGaInAs下波导层、非掺杂AlGaInAs量子阱、非掺杂AlGaInAs上波导层、非掺杂P型掺杂的AlInAs限制层、非掺杂P‑InP过渡层、非掺杂InGaAsP光栅层、非掺杂InP联接层、非掺杂第一InGaAsP势垒渐变层、非掺杂第二InGaAsP势垒过渡层及非掺杂InGaAs欧姆接触层，非掺杂P‑InP过渡层中插入第一非掺杂InGaAsP异质结超晶格层和第二非掺杂InGaAsP异质结超晶格层。该DFB激光器外延结构调制速率大，温度特性好，可靠性好。
基本信息
专利标题 ：
一种高性能DFB激光器外延结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921537461.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-17
授权号 ：
CN210838445U
授权日 ：
2020-06-23
发明人 ：
单智发张永姜伟陈阳华
申请人 ：
全磊光电股份有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区同龙二路567号1-3层
代理机构 ：
苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘计成
优先权 ：
CN201921537461.7
主分类号 ：
H01S5/12
IPC分类号 ：
H01S5/12 H01S5/22 H01S5/343
法律状态
2022-03-04 ：
著录事项变更
IPC(主分类) : H01S 5/12
变更事项 : 发明人
变更前 : 单智发 张永 姜伟 陈阳华
变更后 : 单智发 张永 陈阳华
变更事项 : 发明人
变更前 : 单智发 张永 姜伟 陈阳华
变更后 : 单智发 张永 陈阳华
2020-06-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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