一种高性能DFB激光器结构
著录事项变更
摘要
一种高性能DFB激光器结构，包括InP基底，在所述InP基底上从下而上依次采用MOCVD沉积的N‑InP缓冲层、N‑AlInAs外延层、N‑AlGaInAs波导层、AlGaInAs MQW、P‑AlGaInAs波导层、P‑AlInAs限制层、P‑InP限制层、光栅层、InGaAsP势垒过度层、InGaAs欧姆接触层；在所述N‑InP缓冲层与所述N‑AlInAs外延层中间插入一层N‑InAlAsP；本方案设计的一种高性能DFB激光器结构，在N‑InP缓冲层与N‑InAlAs外延层中间插入一层N‑InAlAsP，可以获得高制量的MQW，提高激光器的可靠性，同时还能平滑N‑InP缓冲层与N‑InAlAs外延层之间的导带能阶差，减小DFB激光器的电阻，提高DFB激光器的性能。
基本信息
专利标题 ：
一种高性能DFB激光器结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020592143.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-20
授权号 ：
CN212162330U
授权日 ：
2020-12-15
发明人 ：
单智发张永陈阳华姜伟方天足
申请人 ：
全磊光电股份有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区同龙二路567号1-3层
代理机构 ：
苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘计成
优先权 ：
CN202020592143.7
主分类号 ：
H01S5/32
IPC分类号 ：
H01S5/32 H01S5/323 H01S5/343 C23C14/06 C23C14/28 C23C16/30 C23C16/44 C23C28/04
法律状态
2022-03-08 ：
著录事项变更
IPC(主分类) : H01S 5/32
变更事项 : 发明人
变更前 : 单智发 张永 陈阳华 姜伟 方天足
变更后 : 单智发 张永 陈阳华 方天足
变更事项 : 发明人
变更前 : 单智发 张永 陈阳华 姜伟 方天足
变更后 : 单智发 张永 陈阳华 方天足
2020-12-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
