一种垂直腔面发射激光器外延片
授权
摘要
本实用新型属于激光器技术领域，提出一种垂直腔面发射激光器外延片，包括衬底，所述衬底上由下至上依次设置有缓冲层、隔离层、下限制层、下渐变波导层、多量子阱层、上渐变波导层、上限制层、上包层、光栅层、覆盖层和欧姆接触层，所述衬底为蓝宝石，所述缓冲层和覆盖层均为GaN，所述覆盖层的表面设置有β‑Ga2O3单晶外延薄膜，所述GaN外延生长在蓝宝石的C面上，所述缓冲层的GaN生长周期为4个，所述覆盖层的GaN生长周期为12个。本实用新型提供的一种垂直腔面发射激光器外延片具有双层单晶薄膜结构，设计合理、结构简单、可靠性较高、激射能力较强且利用率较高，适合大规模推广。
基本信息
专利标题 ：
一种垂直腔面发射激光器外延片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123078924.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-09
授权号 ：
CN216362200U
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
吴东岳韩莲泉
申请人 ：
太平洋（聊城）光电科技有限公司
申请人地址 ：
山东省聊城市经济技术开发区黄河路259号
代理机构 ：
北京和联顺知识产权代理有限公司
代理人 ：
卢太龙
优先权 ：
CN202123078924.8
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183 H01S5/343
法律状态
2022-04-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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