垂直腔面发射激光器件
授权
摘要
一实施例的垂直腔面发射激光器件，包括：下镜；上镜，布置于所述下镜上方；活性区域，布置于所述下镜和所述上镜之间；下n型覆层，布置于所述活性区域和所述下镜之间；上n型覆层，布置于所述活性区域和所述上镜之间；高浓度掺杂的p型半导体层，布置于所述活性区域和所述上n型覆层之间；以及高浓度掺杂的n型半导体层，布置于所述高浓度掺杂的p型半导体层和所述上n型覆层之间而与所述高浓度掺杂的p型半导体层形成隧道接合。
基本信息
专利标题 ：
垂直腔面发射激光器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020342032.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-18
授权号 ：
CN211929898U
授权日 ：
2020-11-13
发明人 ：
朴城柱
申请人 ：
首尔伟傲世有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京钲霖知识产权代理有限公司
代理人 ：
李英艳
优先权 ：
CN202020342032.0
主分类号 ：
H01S5/187
IPC分类号 ：
H01S5/187 H01S5/323
法律状态
2020-11-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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