一种底发射垂直腔面发射激光器结构
专利申请权、专利权的转移
摘要
本实用新型提供一种底发射垂直腔面发射激光器结构,包括衬底基板,衬底基板表面顺序形成有高反射率的下DBR、有源区域、氧化限制层、高反射率的上DBR和欧姆接触的金属上电极层,衬底基板底面形成有向衬底基板表面延伸的出光孔,出光孔的底部与衬底基板表面的间距为d且0≤d<λ,λ为垂直腔面发射激光器的激光激射波长,出光孔的中心线与衬底基板上共轴设置的下DBR、有源区域、氧化限制层、上DBR和金属上电极层的中心轴线重合,衬底基板底面和出光孔内壁形成有欧姆接触的金属下电极层,出光孔底表面形成有与出光孔内金属下电极层邻接的全反射层。本申请使得任意波长的激光均可采用该底发射结构。
基本信息
专利标题 :
一种底发射垂直腔面发射激光器结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921934609.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-11
授权号 :
CN209948330U
授权日 :
2020-01-14
发明人 :
李迈克
申请人 :
中证博芯(重庆)半导体有限公司
申请人地址 :
重庆市合川区草街街道嘉合大道500号
代理机构 :
重庆信航知识产权代理有限公司
代理人 :
穆祥维
优先权 :
CN201921934609.0
主分类号 :
H01S5/183
IPC分类号 :
H01S5/183
法律状态
2020-02-18 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01S 5/183
登记生效日 : 20200122
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中证博芯(重庆)半导体有限公司
变更后权利人 : 中合博芯(重庆)半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 401573 重庆市合川区草街街道嘉合大道500号
变更后权利人 : 401573 重庆市合川区信息安全产业城草街街道嘉合大道500号
登记生效日 : 20200122
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中证博芯(重庆)半导体有限公司
变更后权利人 : 中合博芯(重庆)半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 401573 重庆市合川区草街街道嘉合大道500号
变更后权利人 : 401573 重庆市合川区信息安全产业城草街街道嘉合大道500号
2020-01-14 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载