漏斗结构垂直外腔面发射激光器
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
公开了一种表面发射激光装置。第一衬底设置在第一电极层和第一反射层之间。有源区设置在第一反射层和第二反射层之间。电流阻挡层设置在有源区上以形成孔。第一半导体层可以设置在第二电极层和第二反射层之间。第二电极层可以具有基本与孔对准的开口。电流漏斗区可以位于形成在孔和第二电极开口之间的腔内。可以配置电流漏斗区以促进腔内的传导。
基本信息
专利标题 ：
漏斗结构垂直外腔面发射激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1783604A
申请号 ：
CN200510023032.4
公开（公告）日 ：
2006-06-07
申请日 ：
2005-10-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金泽
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510023032.4
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183 H01S5/32 H01S5/323 H01S5/34 H01S5/343
法律状态
2012-07-11 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101425530067
IPC(主分类) : H01S 5/183
专利申请号 : 2005100230324
公开日 : 20060607
号牌文件序号 : 101425530067
IPC(主分类) : H01S 5/183
专利申请号 : 2005100230324
公开日 : 20060607
2007-08-15 ：
实质审查的生效
2006-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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