垂直腔面发射激光器封装结构

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摘要

本实用新型实施例涉及一种垂直腔面发射激光器封装结构，包括基板、贴于基板一侧表面的VCSEL芯片及罩设于所述VCSEL芯片外侧的封装支架，所述基板为氮化铝陶瓷基板，氮化铝陶瓷基板表面还成型有金属层，在所述金属层形成有线路，VCSEL芯片通过纳米银胶层粘贴于氮化铝陶瓷基板的表面并通过绑定线与线路导通连接，封装支架上还组装有正对VCSEL芯片的出光面以对VCSEL芯片发射出的激光光束进行扩散处理的扩散片。本实用新型实施例以氮化铝陶瓷基板承载封装VCSEL芯片，可有效提升导热性能，使VCSEL芯片处于更合适的工作温度而发挥出更好的面出光工作效能，扩散片对VCSEL芯片的出射光线进行有效扩散，使最后射出的激光分布更为均匀，免受外界因素干扰，明显提升了光辐射能量。

基本信息

专利标题：

垂直腔面发射激光器封装结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920512144.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-04-15

授权号：

CN209561862U

授权日：

2019-10-29

发明人：

刘勇

申请人：

深圳市迈科光电有限公司

申请人地址：

广东省深圳市龙华新区观澜街道大布巷社区泗黎路286-2号A栋4楼南边

代理机构：

深圳市翼智博知识产权事务所(普通合伙)

代理人：

黄莉

优先权：

CN201920512144.3

主分类号：

H01S5/183

IPC分类号：

H01S5/183 H01S5/022 H01S5/06