一种垂直腔面发射激光器结构
授权
摘要
本实用新型提供一种垂直腔面发射激光器结构，包括依次叠设的n型电极、GaAs衬底、n型DBR层、MQW层、p型DBR层和p型电极，p型电极为环状中间的镂空形成出光窗口，在MQW层与p型DBR层之间具有GaAs保护层和GaAs电流扩展层，GaAs保护层设于MQW层一侧，GaAs电流扩展层设于p型DBR层一侧，绝缘层设于GaAs电流扩展层下方，其为环状并包裹GaAs保护层和MQW层的侧面，绝缘层中间的镂空形成发光窗口，在保持垂直腔面发射激光器较低的阈值电流、较小的发散角同时，可以降低垂直腔面发射激光器的串联电阻，提高转换效率。
基本信息
专利标题 ：
一种垂直腔面发射激光器结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122923021.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-26
授权号 ：
CN216750641U
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
蔡文必周广正张建刘超阮鑫栋许燕丽林石林
申请人 ：
厦门市三安集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202122923021.9
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183 H01S5/125 H01S5/343
法律状态
2022-06-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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