一种垂直腔面发射激光器

授权

摘要

本申请公开了一种垂直腔面发射激光器，包括由下至上依次层叠的第一电极、衬底、第一反射镜层、量子点层、第一限制层、过渡层、掺杂层、第二限制层、第二反射镜层、浮雕层、第二电极，所述过渡层和所述掺杂层中分布有质子植入区，所述浮雕层包括刻蚀区和未刻蚀区，且垂直腔面发射激光器的中心线与所述浮雕层的交点位于所述刻蚀区内或所述未刻蚀区内。通过引入非共轴的浮雕层的偏移量来实现VCSEL阵列单元不同模式激射，实现长波长VCSEL的波长可调，制作工艺简单，同时解决了目前的表面浮雕技术在设计和制备过程中都需要表面浮雕中心和VCSEL台面中心严格对准的问题。

基本信息

专利标题：

一种垂直腔面发射激光器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020893504.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-05-25

授权号：

CN212033426U

授权日：

2020-11-27

发明人：

张星

申请人：

长春中科长光时空光电技术有限公司

申请人地址：

吉林省长春市北湖科技开发区明溪路1759号E305室

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

王晓坤

优先权：

CN202020893504.1

主分类号：

H01S5/183

IPC分类号：

H01S5/183 H01S5/34