一种垂直外腔面发射半导体激光器
授权
摘要
本实用新型属于半导体光电子技术领域，涉及一种半导体激光器。一种垂直外腔面发射半导体激光器结构一种垂直外腔面发射半导体激光器由热沉，蓝宝石衬底，缓冲层，同质结DBR层，势垒层，有源区，隧道结层，电流注入层，窗口层及DBR外腔镜组成。本实用新型提出一种垂直外腔面发射半导体激光器，由外延生长同质结DBR来实现高反射率的外腔镜，无需外腔镜面镀膜工艺，从而能够保证获得高质量的外腔镜材料，能解决外腔镜复杂模系设计及高反射膜、增透膜制备的问题。本实用新型提出的一种垂直外腔面发射半导体激光器的外腔镜制备工艺简单，增大了单程增益长度，能有效减小外腔的腔长，获得高反射率外腔镜。
基本信息
专利标题 ：
一种垂直外腔面发射半导体激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920933294.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-20
授权号 ：
CN210040876U
授权日 ：
2020-02-07
发明人 ：
李林曾丽娜李再金乔忠良赵志斌曲轶彭鸿雁
申请人 ：
海南师范大学
申请人地址 ：
海南省海口市龙昆南路99号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201920933294.1
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183 H01S5/187 H01S5/323
法律状态
2020-02-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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