一种绿光垂直腔面发射半导体激光器
授权
摘要
本实用新型提供了一种绿光垂直腔面发射半导体激光器的技术方案，该方案包括有蓝宝石衬底，缓冲层，第一底部分布布拉格反射镜层，第一下势垒层，第一有源层，隧道结，电流注入层，第一上势垒层，第一顶部分布布拉格反射镜层，欧姆接触层，第二底部分布布拉格反射镜层，第二下势垒层，第二有源层，第二上势垒层，第二顶部分布布拉格反射镜层和窗口层。本实用新型提出一种绿光垂直腔面发射半导体激光器结构，由一次外延生长来实现有源层、高反射率分布布拉格反射镜层在内的绿光垂直腔面发射半导体激光器完整外延结构，无需二次外延生长，从而能够保证获得高质量的绿光垂直腔面发射半导体激光器外延材料。
基本信息
专利标题 ：
一种绿光垂直腔面发射半导体激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020101107.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-17
授权号 ：
CN211556423U
授权日 ：
2020-09-22
发明人 ：
李林曾丽娜李再金乔忠良曲轶彭鸿雁
申请人 ：
海南师范大学
申请人地址 ：
海南省海口市琼山区龙昆南路99号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020101107.6
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183 H01S5/343
法律状态
2020-09-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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