一种长波长垂直腔面发射半导体激光器
授权
摘要
本实用新型公开了一种长波长垂直腔面发射半导体激光器，从下至上依次包括DBR反射镜、下电流注入层、发光区、上电流注入层和反射光栅，其中DBR反射镜与反射光栅会相对设置，而反射光栅的反射光波长与DBR反射镜的反射光波长相同，且反射光栅的反射率小于DBR反射镜的反射率。此时，发光区位于反射光栅以及DBR反射镜之间区域所产生的光线会在反射光栅与DBR反射镜之间振荡从而产生激光，并且光线会从反射光栅射出半导体激光器，上述反射光栅的位置即半导体激光器中出光孔的位置。由于反射光栅的结构简单且制备工艺简单，可以降低激光器的制备成本。
基本信息
专利标题 ：
一种长波长垂直腔面发射半导体激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922212262.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-11
授权号 ：
CN210074424U
授权日 ：
2020-02-14
发明人 ：
张星
申请人 ：
长春中科长光时空光电技术有限公司
申请人地址 ：
吉林省长春市北湖科技开发区明溪路1759号E305室
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
王云晓
优先权 ：
CN201922212262.5
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183 H01S5/10
法律状态
2020-02-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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