一种长波长垂直腔面发射半导体激光器
授权
摘要
本实用新型公开了一种长波长垂直腔面发射半导体激光器，包括下波导层；位于下波导层表面的短波发光区；位于短波发光区背向下波导层一侧表面的上波导层；位于上波导层背向下波导层一侧表面的长波发光区；位于长波发光区背向下波导层一侧表面的上光子晶体层；上光子晶体层设置有多个散射柱以形成光子晶体，散射柱沿厚度方向从上光子晶体层背向下波导层一侧表面延伸至上波导层。短波发光区可以产生波长较短的光线并在水平方向上震荡以产生短波长激光。该短波长激光会作为泵浦激光，通过延伸至上波导层的光子晶体传输至长波发光区以激发长波发光区产生长波光线并形成长波长激光出射，使激光器具有较低电阻的同时，具有较好的散热性能。
基本信息
专利标题 ：
一种长波长垂直腔面发射半导体激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020208469.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-25
授权号 ：
CN211579192U
授权日 ：
2020-09-25
发明人 ：
张星
申请人 ：
长春中科长光时空光电技术有限公司
申请人地址 ：
吉林省长春市北湖科技开发区明溪路1759号E305室
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
王云晓
优先权 ：
CN202020208469.5
主分类号 ：
H01S5/10
IPC分类号 ：
H01S5/10 H01S5/183
法律状态
2020-09-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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