半导体激光芯片外延器件及激光器
公开
摘要
本发明涉及半导体激光技术领域，特别是涉及半导体激光芯片外延器件及激光器。其中所述半导体激光芯片外延器件，包括：中间层；分别位于所述中间层的相背两侧且与所述中间层堆叠排列的第一包层和第二包层；其中，所述中间层，包括量子阱层；所述第二包层，包括沿所述第一包层、所述中间层和所述第二包层的堆叠方向依次设置的第一子包层、第二子包层和第三子包层；所述第一子包层的折射率小于所述第三子包层的折射率，且均属于折射率呈连续变化或阶梯变化的所述第二子包层的折射率区间。基于此，本发明能够有效降低生长工艺带来的材料组分偏差对激光器特性的影响，并确保激光器在垂直方向上低损耗单模输出。
基本信息
专利标题 ：
半导体激光芯片外延器件及激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114614341A
申请号 ：
CN202210055099.X
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-01-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄义峰胡海汪卫敏刘文斌
申请人 ：
深圳瑞波光电子有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙华区大浪街道浪口社区华荣路496号德泰工业区10号厂房4层
代理机构 ：
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
何倚雯
优先权 ：
CN202210055099.X
主分类号 ：
H01S5/20
IPC分类号 ：
H01S5/20 H01S5/343
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
