本发明提供了一种半导体激光器的外延生长方法，包括：制备外延片，其中，外延片按照预设方向至少包括下波导层、量子阱有源区、上波导层、上限制层和欧姆接触层；依次对上限制层和欧姆接触层进行部分刻蚀，露出上波导层的上表面；在露出上波导层的上表面上外延生长掺杂材料层，得到外延生长后的外延片；对外延生长后的外延片进行预处理，得到预处理后的外延片，其中，预处理用于形成非吸收窗口；对预处理后的外延片进行刻蚀，刻蚀掉掺杂材料层，再次露出上波导层的上表面；在再次露出上波导层的上表面上再次依次外延生长上限制层和欧姆接触层；其中，外延生长方法发生在同一反应腔室内。