激光器件

授权

摘要

本发明公开一种激光器件，其包括：基板；第一反射层叠体，其配置于上述基板上；有源层，其配置于上述第一反射层叠体上；氧化层，其配置于上述有源层上；第二反射层叠体，其配置于上述氧化层上；多个凹槽，其贯通上述第二反射层叠体、上述氧化层、上述有源层以及上述第一反射层叠体；第一电极层，其配置于上述第二反射层叠体上且与上述第二反射层叠体电连接；以及第二电极层，其配置于上述第二反射层叠体上并向上述多个凹槽的内部延伸而与上述第一反射层叠体电连接，上述第二反射层叠体的反射率高于上述第一反射层叠体的反射率。

基本信息

专利标题：

激光器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110690648A

申请号：

CN201910850471.4

公开（公告）日：

2020-01-14

申请日：

2019-09-04

授权号：

CN110690648B

授权日：

2022-05-13

发明人：

崔元珍金东焕

申请人：

上海砷芯科技有限公司

申请人地址：

上海市普陀区光复西路2899号赢华国际广场2号楼1610室

代理机构：

上海精晟知识产权代理有限公司

代理人：

杜蔚琼

优先权：

CN201910850471.4

主分类号：

H01S5/183

IPC分类号：

H01S5/183 H01S5/022 H01S5/42