半导体激光器件及其制造方法
专利权的终止
摘要
一种半导体激光器件(1)，包括：具有主面(3a)的衬底(3)；在其中主面(3a)延伸的方向上具有在衬底(3)上形成的氮化镓外延层(2a)和低折射率材料(2b)的光子晶体层(7)，该低折射率材料(2b)具有低于外延层(2a)的折射率；衬底(3)上形成的n－型敷层(4)；衬底(3)上形成的p－型敷层(6)；插入n－型敷层(4)和p－型敷层(6)之间且当往其中注入载流子时发光的有源层(5)；以及覆盖直接位于光子晶体层(7)上的区域的GaN层(12)。因此，可以在没有熔化工序的条件下，制造该半导体激光器件。
基本信息
专利标题 ：
半导体激光器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101040409A
申请号 ：
CN200580034733.6
公开（公告）日 ：
2007-09-19
申请日 ：
2005-12-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吉本晋松原秀树齐藤裕久三崎贵史中西文毅森大树
申请人 ：
住友电气工业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
林宇清
优先权 ：
CN200580034733.6
主分类号 ：
H01S5/18
IPC分类号 ：
H01S5/18 H01S5/12
法律状态
2017-02-01 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101700609010
IPC(主分类) : H01S 5/10
专利号 : ZL2005800347336
申请日 : 20051206
授权公告日 : 20100526
终止日期 : 20151206
号牌文件序号 : 101700609010
IPC(主分类) : H01S 5/10
专利号 : ZL2005800347336
申请日 : 20051206
授权公告日 : 20100526
终止日期 : 20151206
2010-05-26 ：
授权
2007-11-14 ：
实质审查的生效
2007-09-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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