分布反馈半导体激光器及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
公开了一种以单模振荡的分布反馈半导体激光器及其制造方法。该分布反馈半导体激光器包括：有源层；与有源层相邻形成的覆盖层；以及在覆盖层中周期性地形成并且彼此之间分隔预定距离的衍射光栅。衍射光栅由非导体形成，从而局部阻隔注入到有源层的电流，并且改变增益系数的分布。非导体是氧化的半导体材料。
基本信息
专利标题 ：
分布反馈半导体激光器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1797876A
申请号 ：
CN200510128632.7
公开（公告）日 ：
2006-07-05
申请日 ：
2005-11-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金映铉李重基金仁朴晟秀
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
戎志敏
优先权 ：
CN200510128632.7
主分类号 ：
H01S5/00
IPC分类号 ：
H01S5/00
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法律状态
2008-05-14 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-08-30 ：
实质审查的生效
2006-07-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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