抗反馈耦合腔半导体激光器
实质审查的生效
摘要
本公开提供一种抗反馈耦合腔半导体激光器，属于光纤通信和半导体激光器技术领域，包括回音壁微腔(1)、FP腔(2)，所述FP腔(2)沿其长度方向依次形成有第一端和第二端，所述回音壁微腔(1)与所述FP腔(2)的第一端相连接，以共同形成一耦合腔结构，光从所述FP腔(2)的第二端入射后进入所述回音壁微腔(1)中，并在所述回音壁微腔(1)内经过若干次反射后反射回所述FP腔(2)中。本公开通过将具有高Q值高品质因子的回音壁微腔(1)与高输出效率的FP腔(2)耦合形成一种兼具高O值和高输出效率的耦合腔结构，在保证耦合腔激光器激光器具有较好的输出特性的同时具备抗反馈的特性。
基本信息
专利标题 ：
抗反馈耦合腔半导体激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114336281A
申请号 ：
CN202111636328.9
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郝友增黄永箴沈征征绳梦伟杨跃德肖金龙
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李世阳
优先权 ：
CN202111636328.9
主分类号 ：
H01S5/10
IPC分类号 ：
H01S5/10
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/10
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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