短耦合腔单膜可调谐半导体激光器
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
本实用新型为短耦合腔单模可调谐半导体激光器其属于激光技术领域。本实用新型提出的短耦合腔半导体激光器具有如下特征：(1)激光二极管在耦合腔一侧的表面镀增透膜；(2)用多层介质膜做耦合腔反射镜；(3)用压电晶体精确调整短耦合腔腔长。因此，具有比以往器件显著好的性能，边模抑制比达到35dB以上。该器件可广泛应用于光纤通信、传感、计量检测等领域。
基本信息
专利标题 ：
短耦合腔单膜可调谐半导体激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN85200017.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
CN85200017U
授权日 ：
1985-09-10
发明人 ：
周炳琨张汉一王江林
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
北京市海淀区清华园
代理机构 ：
清华大学专利事务所
代理人 ：
廖元秋
优先权 ：
CN85200017.0
主分类号 ：
H01S3/18
IPC分类号 ：
H01S3/18
法律状态
1991-12-25 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1986-01-08 ：
授权
1985-09-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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