半导体激光器件制造方法和半导体激光器件
专利权的终止
摘要
公开了一种半导体激光器件制造方法，依次包括：第一老化步骤S1、第一检查步骤S2、安装步骤S3、第二老化步骤S4和第二检查步骤S5。由于在半导体激光器芯片上以高温直流电流通电的第一老化步骤S1在安装步骤S3之前执行，因此能够减小安装前半导体激光器芯片的阈值电流和驱动电流。
基本信息
专利标题 ：
半导体激光器件制造方法和半导体激光器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1773790A
申请号 ：
CN200510120290.4
公开（公告）日 ：
2006-05-17
申请日 ：
2005-11-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
竹冈忠士石仓卓郎
申请人 ：
夏普株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510120290.4
主分类号 ：
H01S5/00
IPC分类号 ：
H01S5/00
法律状态
2015-12-23 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101639682664
IPC(主分类) : H01S 5/00
专利号 : ZL2005101202904
申请日 : 20051109
授权公告日 : 20100127
终止日期 : 20141109
号牌文件序号 : 101639682664
IPC(主分类) : H01S 5/00
专利号 : ZL2005101202904
申请日 : 20051109
授权公告日 : 20100127
终止日期 : 20141109
2010-01-27 ：
授权
2006-07-12 ：
实质审查的生效
2006-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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