半导体二极管激光器及其制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明半导体二极管激光器的反射镜区17、19中包括第一覆层1′、辐射导引层2′和第三覆层6。在2′中，利用在其中的装置12形成辐射波导15，而形成有效折射率台阶。位于15增强断面的层1′、2′、6的禁带宽度大于层3。反射镜区中无辐射吸收，劣化减少，激光器的功率高寿命长。装置12通过减小波导两侧导引层2′的厚度或通过搀杂改变层2′的组分形成。折射率台阶足够小时，可使反射镜区17、19的横向模稳定。本发明方法只需使用MOVPE生长技术。
基本信息
专利标题 ：
半导体二极管激光器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1052576A
申请号 ：
CN90109961.9
公开（公告）日 ：
1991-06-26
申请日 ：
1990-12-08
授权号 ：
CN1027117C
授权日 ：
1994-12-21
发明人 ：
扬·奥普舒尔H·P·M·M·安布罗修斯
申请人 ：
菲利浦光灯制造公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
马铁良
优先权 ：
CN90109961.9
主分类号 ：
H01S3/085
IPC分类号 ：
H01S3/085 H01S3/19
法律状态
2000-01-26 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1998-12-16 ：
著录项目变更
变更事项 : 专利权人
变更前 : 菲利浦电子有限公司
变更后 : 皇家菲利浦电子有限公司
变更前 : 菲利浦电子有限公司
变更后 : 皇家菲利浦电子有限公司
1997-12-24 ：
著录项目变更
变更事项 : 专利权人
变更前 : 菲利浦光灯制造公司
变更后 : 菲利浦电子有限公司
变更前 : 菲利浦光灯制造公司
变更后 : 菲利浦电子有限公司
1994-12-21 ：
授权
1993-03-24 ：
实质审查请求的生效
1991-06-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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