半导体激光二极管及其制造方法
专利权的终止
摘要

本发明提供一种半导体激光二极管及其制造方法。在所述半导体激光二极管中,第一材料层、有源层、以及第二材料层顺序形成在衬底上,脊部分和第一凸出部分以与所述有源层垂直的方向形成在所述第二材料层上,所述第一凸出部分形成在所述脊部分的一侧,第二电极层与所述脊部分的顶表面接触地形成,电流限制层形成在所述第二材料层的整个表面上且暴露所述第二电极层,保护层形成在所述第一凸出部分之上所述电流限制层的表面上且具有与所述电流限制层的蚀刻选择性不同的蚀刻选择性,键合金属层与所述第二电极层电连接地形成在所述电流限制层和所述保护层上。

基本信息
专利标题 :
半导体激光二极管及其制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1858946A
申请号 :
CN200610019857.3
公开(公告)日 :
2006-11-08
申请日 :
2006-03-01
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
成演准张泰勋
申请人 :
三星电子株式会社
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
李晓舒
优先权 :
CN200610019857.3
主分类号 :
H01S5/22
IPC分类号 :
H01S5/22  H01S5/323  H01S5/343  H01S5/00  
法律状态
2011-05-04 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101068488919
IPC(主分类) : H01S 5/22
专利号 : ZL2006100198573
申请日 : 20060301
授权公告日 : 20081203
终止日期 : 20100301
2008-12-03 :
授权
2007-01-03 :
实质审查的生效
2006-11-08 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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