窗口结构半导体激光装置及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明的AlGaInP类窗口结构半导体激光装置，其包括依次层叠下覆层、具有量子阱层的有源层、以及上覆层的光波导路径，并从形成于所述光波导路经的端部的相对于所述叠层垂直的光出射端面放射光。在所述光波导路径的包含所述光出射端面的端部形成具有所述量子阱层不规则化的有源层的窗口部。所述窗口部中的相对所述层叠方向的垂直方向的光强度分布，比在所述光波导路径内侧与所述窗口部相邻的非窗口部中的所述垂直方向的光强度分布扩展。从所述窗口部的所述光出射端面到所述非窗口部的长度大于或等于48μm而小于或等于80μm。
基本信息
专利标题 ：
窗口结构半导体激光装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1855650A
申请号 ：
CN200610091702.0
公开（公告）日 ：
2006-11-01
申请日 ：
2006-03-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
渡辺昌规
申请人 ：
夏普株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610091702.0
主分类号 ：
H01S5/16
IPC分类号 ：
H01S5/16 H01S5/20 H01S5/343
法律状态
2022-03-11 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01S 5/16
申请日 : 20060324
授权公告日 : 20090415
终止日期 : 20210324
申请日 : 20060324
授权公告日 : 20090415
终止日期 : 20210324
2009-04-15 ：
授权
2006-12-27 ：
实质审查的生效
2006-11-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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