半导体激光装置及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种脊条形半导体激光装置，在半导体衬底(102)上具备第1导电型的包覆层(103)、有源层(104)、第2导电型的第1包覆层(105)、用来进行水平横向的光封闭的脊形条状的第2导电型的第2包覆层(108)、和除了上述脊上的至少一部分以外形成的电流阻挡层(107)，在与上述脊的条方向垂直的剖面形状中，上述脊的两侧面分别具有相对于半导体衬底表面大致垂直且从上述脊的上端向下方延伸的第1面(118)、和在脊麓部分由朝脊外侧向斜下方方向倾斜的大致直线状的麓部分倾斜面构成的第2面(119)；第1面与第2面直接连接，或者经由第3中间面连接；在第2面上，构成上述第2包覆层的半导体的(111)面露出。在本发明中，能够提供高纽结水平、低动作电流的高输出半导体激光装置。
基本信息
专利标题 ：
半导体激光装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101006624A
申请号 ：
CN200680000579.5
公开（公告）日 ：
2007-07-25
申请日 ：
2006-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
细井浩行牧田幸治山中通成
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
胡建新
优先权 ：
CN200680000579.5
主分类号 ：
H01S5/223
IPC分类号 ：
H01S5/223
法律状态
2010-03-24 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-09-19 ：
实质审查的生效
2007-07-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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