使用激光退火制造半导体器件的方法
实质审查的生效
摘要
本公开内容的方面提供了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。在包括交替的第一层和第二层的堆叠体中形成沟道孔。堆叠体形成在半导体器件的衬底上方。在沟道孔中依次形成栅极电介质层和沟道层。使用激光对沟道层执行激光退火。激光在沟道层的上表面上的入射角导致在沟道层与栅极电介质层之间的界面以及沟道层与和沟道层相邻的绝缘层之间的界面处发生全内反射。
基本信息
专利标题 ：
使用激光退火制造半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114556532A
申请号 ：
CN202180004441.7
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
范冬宇杨远程张坤刘磊夏志良霍宗亮
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京永新同创知识产权代理有限公司
代理人 ：
林锦辉
优先权 ：
CN202180004441.7
主分类号 ：
H01L21/268
IPC分类号 ：
H01L21/268 H01L27/11524 H01L27/11556
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263
带有高能辐射的
H01L21/268
应用电磁辐射的，例如激光辐射
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/268
申请日 : 20211202
申请日 : 20211202
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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