半导体器件及其制造方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
目的在于提供一种激光照射的重叠部分能够不被人的眼睛识别的半导体器件及其制作方法。一种半导体器件的制作方法包括：第1扫描步骤，利用照射面是矩形的脉冲形发振的激光，对形成在绝缘体上的非晶半导体膜，在与上述照射面的长度方向交叉的方向上一边扫描一边照射，形成第1多晶半导体膜；以及第2扫描步骤，在上述第1多晶半导体膜上重叠照射面的一部分，并且利用上述激光对与上述第1多晶半导体膜相邻的非晶半导体膜，在与上述照射面的长度方向交叉的方向上一边扫描一边照射，形成第2多晶半导体膜，其特征在于：上述激光的波长范围是390nm到640nm，上述非晶半导体膜的膜厚度大于等于60nm且小于等于100nm。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822318A
申请号 ：
CN200610008597.X
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2006-02-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
须贺原和之中川直纪园淳弘由良信介山吉一司
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN200610008597.X
主分类号 ：
H01L21/20
IPC分类号 ：
H01L21/20 H01L21/268 H01L21/336 H01L21/00 C23C16/56 C30B30/00 B23K26/00 G02F1/1368
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
法律状态
2009-01-14 ：
发明专利申请公布后的驳回
2006-10-18 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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