使用CMP的半导体器件及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及使用CMP的半导体器件及其制造方法。其中一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：(a)在半导体衬底上形成布线；(b)在所述步骤(a)之后，通过高密度等离子体化学气相沉积来沉积第一绝缘膜，所述第一绝缘膜掩埋所述布线；(c)在所述步骤(b)之后，通过不同于高密度等离子体化学气相沉积的沉积方法，在所述第一绝缘膜上沉积第二绝缘膜；以及(d)在所述步骤(c)之后，通过使用包含二氧化铈磨粒的研磨剂进行化学机械抛光将所述第二绝缘膜平坦化。因而可解决大尺寸衬底在抛光后出现的膜残留问题，并抑制层间绝缘膜的晶片级厚度分布。
基本信息
专利标题 ：
使用CMP的半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101471288A
申请号 ：
CN200910001321.2
公开（公告）日 ：
2009-07-01
申请日 ：
2005-11-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
井谷直毅
申请人 ：
富士通微电子株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人 ：
张龙哺
优先权 ：
CN200910001321.2
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L21/3105 H01L21/762 H01L21/02 H01L27/04 H01L29/78 B24B37/04
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2020-10-30 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20051117
授权公告日 : 20110727
终止日期 : 20191117
申请日 : 20051117
授权公告日 : 20110727
终止日期 : 20191117
2011-07-27 ：
授权
2009-08-26 ：
实质审查的生效
2009-07-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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