一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在形成STI的CMP中，使用包含二氧化铈磨粒及界面活性剂的添加剂的第一研磨剂，抛光在半导体衬底上形成的膜的表面，直至将膜的表面平坦化；使用具有物理抛光功能的第二研磨剂，抛光膜的表面；及使用包含二氧化铈磨粒、界而活性剂的添加剂和稀释剂的第三研磨剂，抛光膜的表面。该制造方法还包括如下步骤：在半导体衬底上形成布线；通过HDP－CVD沉积掩埋布线的第一绝缘膜；通过不同于HDP－CVD的沉积方法在第一绝缘膜上沉积第二绝缘膜；及使用包含二氧化铈磨粒的研磨剂通过CMP将第二绝缘膜平坦化。因而可解决大尺寸衬底在抛光后出现的膜残留问题，并抑制层间绝缘膜的晶片级厚度分布。