制造半导体器件的装置及其使用方法
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
一个引线框在充满还原性气体的传送通道中沿传送方向传送。在芯片焊接位置，将半导体芯片放在引线框上。铜或铜合金制做的金属丝提供给相邻的下一个金属丝压焊位置。用气罩包围的氢氧焰来熔化金属丝的下部未端，以形成一个球状体。金属丝由一根毛细管送入到传送通道内。球状体被热压到半导体芯片的电极层上，金属丝的另一端被熔断并在后步压焊位置被热压到引线框的外引线上，从而金属丝被连接在半导体芯片和外引线之间。
基本信息
专利标题 ：
制造半导体器件的装置及其使用方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85106110A
申请号 ：
CN85106110.9
公开（公告）日 ：
1986-10-01
申请日 ：
1985-08-13
授权号 ：
CN85106110B
授权日 ：
1987-12-09
发明人 ：
小林三男薄田修佐野芳彦渥美幸一郎
申请人 ：
株式会社东芝
申请人地址 ：
日本神奈川县川崎市
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
余刚
优先权 ：
CN85106110.9
主分类号 ：
H01L21/603
IPC分类号 ：
H01L21/603
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
H01L21/603
包括运用压力的，例如热压黏结
法律状态
2001-04-11 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1987-12-09 ：
审定
1986-10-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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