半导体激光器件结构及其制造方法
公开
摘要
本发明公开了包括具有模式选择滤波器和相位对准元件中的至少一个的激光二极管腔的半导体器件结构及其制造方法。一种示例器件结构包括具有模式选择反射器结构的表面蚀刻光栅分布反馈(SEG DFB)激光器。所述反射器结构旨在提供基本TE0模式的更高反馈，并抑制高阶模式效应。所述反射器结构可以是包括空间图案反射器的单接口(单面)镜式反射器，或多接口分布布拉格反射器(DBR)。可以包括相位对准元件以提供精确的光学相位控制。可包括用于背面功率监测的光检测器。本发明公开了一种基于自对准工艺的制造方法，其中DBR特征包括在用于DFB激光光栅的同一掩模上。
基本信息
专利标题 ：
半导体激光器件结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114467235A
申请号 ：
CN202080068558.7
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2020-10-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
理查德·D·克莱顿威廉·A·哈格利劳伦斯·E·塔洛夫
申请人 ：
电光-IC股份有限公司
申请人地址 ：
加拿大安大略省卡娜塔
代理机构 ：
深圳市博锐专利事务所
代理人 ：
林栋
优先权 ：
CN202080068558.7
主分类号 ：
H01S5/065
IPC分类号 ：
H01S5/065 H01S3/105
法律状态
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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