蓝-绿激光二极管的制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
用于产生对P型II—VI半导体本体欧姆接触的方法，包括：在分子束外延仓内放入P型II—VI半导体本体；向仓内溅射至少一个II族源；向仓内溅射至少一个VII族源Xm，m＜6；向仓内测射至少一种自由基，作为P型掺杂剂；将半导体本体加热到小于250℃，但高到足以促进掺自由基P型杂质到净受主浓度至少为1×1017cm-3的II—VI半导体层的晶体生长；以及在半导体本体上生长掺自由基P型杂质到净受主至少为1×1017cm-3的晶体II—VI欧姆接触层。
基本信息
专利标题 ：
蓝-绿激光二极管的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1111840A
申请号 ：
CN95102220.2
公开（公告）日 ：
1995-11-15
申请日 ：
1992-05-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
迈克尔·A·海斯郑骅詹姆斯·M·迪鲁特邱钧
申请人 ：
明尼苏达州采矿制造公司
申请人地址 ：
美国明尼苏达州
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
杨国旭
优先权 ：
CN95102220.2
主分类号 ：
H01S3/025
IPC分类号 ：
H01S3/025
法律状态
2001-12-26 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
1995-11-15 ：
公开
1995-10-25 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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