整流二极管的制造方法
专利申请的视为撤回
摘要
本发明为一种改进的整流二极管的制造方法，把包括有晶片与铜丝结合、铜丝镀锡、碱洗、晶片涂硅胶、涂硅胶后晶体包覆环氧树脂工序的传统制造方法加以改进，采用把铜丝浸渍在熔融的焊锡中镀锡，并且用多次滚动浸渍法包覆环氧树脂。本发明不用传统的电镀法镀锡，从根本上消除了环境污染，不用模具法包覆环氧树脂，降低了生产成本，提高了功效。
基本信息
专利标题 ：
整流二极管的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1060923A
申请号 ：
CN90108645.2
公开（公告）日 ：
1992-05-06
申请日 ：
1990-10-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张金祥
申请人 ：
张金祥
申请人地址 ：
中国台湾
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
汪锡安
优先权 ：
CN90108645.2
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 H01L21/56 H01L23/48 H01L23/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
1994-10-26 ：
专利申请的视为撤回
1992-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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