快速恢复二极管及其制造方法
公开
摘要
本申请公开了一种快速恢复二极管及其制造方法，其中，快速恢复二极管包括层叠设置的第一金属电极层、第一导电类型阴极层、第一导电类型外延层、第二导电类型阳极层及第二金属电极层，所述第二导电类型阳极层朝向第二金属电极层的一侧，至少部分区域形成有第一导电类型反型区，第一导电类型反型区形成有第二导电类型反型区，第一导电类型反型区的深度大于第二导电类型反型区的深度，第二导电类型反型区与第二金属电极层欧姆接触。该方案，由于第二导电类型反型区与第二金属电极层欧姆接触，保证了该快速恢复二极管的正面欧姆接触性能，从而在不增加正向压降VF的情况下，降低阳极的注入效率，减少关断时间，提高了产品工作频率。
基本信息
专利标题 ：
快速恢复二极管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335192A
申请号 ：
CN202011051596.X
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郝瑞红曹群
申请人 ：
比亚迪半导体股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市大鹏新区葵涌街道延安路1号
代理机构 ：
深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张美君
优先权 ：
CN202011051596.X
主分类号 ：
H01L29/868
IPC分类号 ：
H01L29/868 H01L21/329 H01L29/45 H01L29/06
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
